Nexperia（安世半导体）不断增强器件中关键 MOSFET （金属-氧化物半导体场效应晶体管）的性能，满足特定应用的要求，以打造领先的 ASFET（ASFET 是专门为用于某一应用而设计并优化的 MOSFET）。自 ASFET 推出以来，针对电池隔离（BMS）、直流电机控制、以太网供电（POE）和汽车安全气囊等应用的产品优化升级取得成功。

浪涌电流给热插拔应用带来了可靠性挑战，Nexperia（安世半导体）专门针对此类应用进行全面升级，设计了适用于热插拔和软启动的 ASFET 产品组合，并增强了 SOA 性能。与之前的技术相比，PSMNR67-30YLE ASFET 的 SOA (12V @100mS) 性能提高到了 2.2 倍，同时 RDS(on)（最大值）低至 0.7mΩ。与未优化器件相比，新款器件不仅消除了 Spirito 效应（表示为 SOA 曲线的更高压区域中更为陡峭的斜向下曲线），还同时保持了整个电压和温度范围内的出色性能。

Nexperia（安世半导体）通过在 125℃ 下对新款器件进行完全表征，并提供高温下的 SOA 数据曲线，消除了热降额设计的必要性，从而为设计人员提供进一步支持。

8 款新产品（3 款 25V 和 5 款 30V）现已可选择 LFPAK56 或 LFPAK56E 封装，其中 RDS(on) 范围为 0.7mΩ 到 2mΩ，可适用于大多数热插拔和软启动应用。其他 2 款 25V 产品的 RDS(on) 更低，仅为 0.5mΩ，预计将于未来几个月内发布。